3D V낸드플래시 메모리

[3D Vertical NAND, 3차원 수직구조 낸드플래시 메모리]

기존에 단층으로 배열된 셀을 3차원 수직으로 적층한 낸드플레쉬메모리

3D V낸드플래시는 기존 2D 낸드플래시의 미세화 공정 기술 한계를 극복하기 위해 개발된 기술이다.

최첨단 10나노급 공정이 도입되면서 이웃한 셀 간의 간격이 좁아지게 되었다.

이로 인해 전자가 누설되는 간섭 현상이 심화되었는데,

이러한 문제를 극복하기 위해

기존 단층구조로 배열된 셀을 3차원 수직구조로 적층하는 혁신적인 기술이 개발된 것이다.

물리적 기술의 한계를 극복한 3D V낸드플래시는

셀 사이의 간섭 영향을 대폭 줄여 셀 특성을 향상시켰으며,

기존 2D V낸드플래시에 비해 메모리의 속도와 수명 및 전력 효율성을 크게 개선했다.