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제목 [반도체용어] 낸드(NAND), 노어(NOR) 플래시 메모리
작성자 OKETS (ip:)
  • 작성일 2017-04-06
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  • 조회수 470
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낸드 플래시 메모리[NAND Flash Memory]

 
반도체의 셀이 직렬로 배열되어 있는 플래시 메모리의 한 종류.


플래시 메모리는 반도체 칩 내부의 전자회로 형태에 따라

직렬로 연결된 낸드 플래시와 병렬로 연결된 노어 플래시로 구분된다.


낸드 플래시는 용량을 늘리기 쉽고 쓰기 속도가 빠르다는 장점을 갖고 있다.

 

낸드 플래시는 저장단위인 셀을 수직으로 배열하는 구조이기 때문에

좁은 면적에 많은 셀을 만들 수 있어 대용량화가 가능하다.


또한 데이터를 순차적으로 찾아가 읽기 때문에 노어 플래시보다 읽기 속도는 느리지만

별도로 셀의 주소를 기억할 필요가 없어 쓰기속도는 훨씬 빠르다.


이처럼 낸드 플래시는 소형화, 대용량화가 가능하기 때문에

다양한 모바일 기기 및 전자제품의 저장장치로 사용되고 있다.


 

노어 플래시 메모리[NOR Flash Memory]

 

반도체의 셀이 병렬로 배열되어 있는 플래시 메모리의 한 종류.


노어 플래시는 읽기 속도가 빠른 장점을 갖고 있다.


노어 플래시는 저장단위인 셀을 병렬로 배열하는 구조이기 때문에

데이터를 빨리 찾을 수 있어 낸드 플래시보다 읽기속도가 빠르고 데이터의 안전성이 우수하다.


하지만 각 셀의 주소를 기억해야 하기 때문에 회로가 복잡하고,

이로 인해 데이터를 저장할 수 있는 공간이 좁아 대용량화가 어렵다.


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